? 2007 IXYS All rights reserved
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DSEC 60-12A
0701
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
IFAV
VRRM
= 1200 V
trr
=40ns
= 2x30 A
VRSM
VRRM
Type
V V
1200 1200 DSEC 60-12A
Symbol Conditions Maximum Ratings
IFRMS
IFAVM
70 A
TC
= 115°C; rectangular, d = 0.5 30 A
IFSM
TVJ
= 45°C; t
p
= 10 ms (50 Hz), sine 200 A
EAS
TVJ
= 25°C; non-repetitive 14 mJ
IAS
= 11.5 A; L = 180 μH
IAR
VA
= 1.25
·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive 1.2 A
TVJ
TVJM
Tstg
-55...+175 °C
175 °C
-55...+150 °C
Ptot
TC
= 25°C 165 W
Md
mounting torque 0.8...1.2 Nm
Weight
typical 6 g
Symbol Conditions Characteristic Values
typ. max.
IR
①
TVJ
= 25°C V
R
= VRRM
TVJ
= 150°C V
R
= VRRM
250
μA
1mA
Avalanche voltage rated for reliable
VF
②
IF
= 30 A; T
VJ
= 150°C 1.78 V
TVJ
= 25°C 2.74 V
RthJC
RthCH
0.9 K/W
0.25 K/W
trr
IF
= 1 A; -di/dt = 200 A/
μs; 40 ns
VR
= 30 V; T
VJ
= 25°C
IRM
VR
= 100 V; I
F
= 50 A; -di
F/dt = 100 A/μs 8.5 11.4 A
TVJ
= 100°C
Features
International standard package
Planar passivated chips
Very short recovery time
Extremely low switching losses
Low I
RM-values
Soft recovery behaviour
Epoxy meets UL 94V-0
Applications
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Inductive heating
Uninterruptible power supplies (UPS)
Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low I
RM
reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Dimensions see Outlines.pdf
HiPerFREDTM
Epitaxial Diode
with common cathode and soft recovery
Pulse test:
①
Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0%
②
Pulse Width = 300
μs, Duty Cycle < 2.0%
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.
AC ATO-247 AD
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode
C
A
A
C (TAB)
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